SCT2H12NZGC11 دیتاشیت

SCT2H12NZGC11

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SCT2H12NZGC11
حجم فایل 74.48 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت SCT2H12NZGC11

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon SCT2H12NZGC11
  • Power Dissipation (Pd): 35W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 14nC@18V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 1.7kV
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 184pF@800V
  • Continuous Drain Current (Id): 3.7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@900uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.5Ω@18V,1.1A
  • Package: TO-3PF
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه